STP40N20参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP40N20概述

N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

N-Channel 200V 40A Tc 160W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB

贸泽:
MOSFET N-Ch 200 Volt 40 Amp

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Win Source:
N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

STP40N20中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 40.0 A

通道数 1

漏源极电阻 45 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 44 ns

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP40N20

型号： STP40N20

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

立即咨询

替代型号STP40N20

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STP40N20 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STP55NF06 意法半导体	类似代替	STP40N20和STP55NF06的区别
STP60NF06 意法半导体	类似代替	STP40N20和STP60NF06的区别
STP5NK100Z 意法半导体	类似代替	STP40N20和STP5NK100Z的区别