SI4463DY-T1-E3

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SI4463DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 20.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.50 W

漏源击穿电压 -20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -9.00 A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI4463DY-T1-E3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 9A 8Pin SOIC N T/R

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