STD100NH03LT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STD100NH03LT4概述

N沟道30V - 0.005ohm - 60A - DPAK封装的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET

N-Channel 30V 60A Tc 100W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A DPAK STripFET III POWER MOSFET

STD100NH03LT4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 60.0 A

漏源极电阻 5.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

输入电容Ciss 4100pF @15VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD100NH03LT4

型号： STD100NH03LT4

描述：N沟道30V - 0.005ohm - 60A - DPAK封装的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET

替代型号STD100NH03LT4

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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