双N沟道30V - 0.039ohm - 4A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 4A 2W 表面贴装型 8-SO
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 4.00 A
漏源极电阻 50.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.00 W
输入电容 330 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 330pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STS4DNF30L ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
NTMD4N03R2G 安森美 | 功能相似 | STS4DNF30L和NTMD4N03R2G的区别 |