N沟道150V - 0.045Î © - 40A - D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH OVERLAY⢠Power MOSFET
N-Channel 150V 40A Tc 300W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
额定电压DC 150 V
额定电流 40.0 A
漏源极电阻 45.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 2420pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB40NS15T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB40NS15 意法半导体 | 功能相似 | STB40NS15T4和STB40NS15的区别 |