STB16NS25T4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB16NS25T4概述

N沟道250V - 0.23W - 16A D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.23W - 16A D2PAK MESH OVERLAYâ¢ MOSFET

N-Channel 250V 16A Tc 140W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK

贸泽:
MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
N-CHANNEL 250V - 0.23W - 16A D2PAK MESH OVERLAY™ MOSFET

STB16NS25T4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 16.0 A

通道数 1

漏源极电阻 280 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1270pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB16NS25T4

型号： STB16NS25T4

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道250V - 0.23W - 16A D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.23W - 16A D2PAK MESH OVERLAYâ¢ MOSFET

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