MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
通孔 N 通道 300 V 30A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
欧时:
### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
得捷:
MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 30A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 300V 30A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
漏源极电阻 90 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2500pF @50VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16