STN1N20参数规格_中文资料_数据手册PDF

STN1N20概述

N - CHANNEL 200V - 1.2欧姆 - 1A - SOT- 223功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.2 ohm - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR

表面贴装型 N 通道 200 V 1A（Tc） 2.9W（Tc） SOT-223

得捷:
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223

贸泽:
MOSFET N-Ch 200 Volt 1 Amp

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223

STN1N20中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 1.00 A

漏源极电阻 1.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.9 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 206pF @25VVds

额定功率Max 2.9 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.9W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.8 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

STN1N20引脚图与封装图

在线购买STN1N20

型号： STN1N20

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N - CHANNEL 200V - 1.2欧姆 - 1A - SOT- 223功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.2 ohm - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR

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