STP8NM60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP8NM60N概述

N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

N-Channel 600V 7A Tc 70W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB

贸泽:
MOSFET 600V, 7A Pwr MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

STP8NM60N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 70 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 560pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP8NM60N

型号： STP8NM60N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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