N沟道600 V ， 1.3升© ， 3 A TO -220 ， DPAK ， IPAK齐纳保护MDmeshâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 600 V, 1.3 Ω, 3 A TO-220, DPAK, IPAK Zener-protected MDmesh⢠Power MOSFET
表面贴装型 N 通道 3A（Tc） 42W（Tc） DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
额定电压DC 600 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 1.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 42W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 4 ns
正向电压Max 1.5 V
输入电容Ciss 324pF @25VVds
额定功率Max 42 W
下降时间 10.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD3NM60T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD3NM60-1 意法半导体 | 完全替代 | STD3NM60T4和STD3NM60-1的区别 |
SPS03N60C3 英飞凌 | 功能相似 | STD3NM60T4和SPS03N60C3的区别 |