STS12NH3LL参数规格_中文资料_数据手册PDF

STS12NH3LL概述

N沟道30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO- 8超低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET™ Power MOSFET

N-Channel 30V 12A Tc 2.7W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

贸泽:
MOSFET N-Ch 30 Volt 12 Amp

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SO N T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SO N T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

STS12NH3LL中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 12.0 A

漏源极电阻 8.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 965pF @25VVds

额定功率Max 2.7 W

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

STS12NH3LL引脚图与封装图

在线购买STS12NH3LL

型号： STS12NH3LL

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO- 8超低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET™ Power MOSFET

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替代型号STS12NH3LL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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