



N沟道24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET
N-Channel 24V 60A Tc 100W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 24V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET
额定电压DC 24.0 V
额定电流 60.0 A
漏源极电阻 11.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 100W Tc
漏源极电压Vds 24 V
漏源击穿电压 24.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 2850pF @15VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB100NH02LT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | STB100NH02LT4和STP55NF06的区别 |
STW20NK50Z 意法半导体 | 功能相似 | STB100NH02LT4和STW20NK50Z的区别 |
STP5NK100Z 意法半导体 | 功能相似 | STB100NH02LT4和STP5NK100Z的区别 |