STB100NH02LT4

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STB100NH02LT4概述

N沟道24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET

N-Channel 24V 60A Tc 100W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 24V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET


STB100NH02LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 24.0 V

额定电流 60.0 A

漏源极电阻 11.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 24 V

漏源击穿电压 24.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 2850pF @15VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB100NH02LT4
型号: STB100NH02LT4
描述:N沟道24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET
替代型号STB100NH02LT4
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