SBC847CDW1T1G

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SBC847CDW1T1G概述

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

SBC847CDW1T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 380 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

直流电流增益hFE 420

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: SBC847CDW1T1G
描述:NPN 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

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