SMBJ110C参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ110C概述

硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

185.85V Clamp 3.4A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 110VWM 185.85VC DO214

Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 110V 600W 2-Pin SMB T/R

SMBJ110C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 110 V

额定功率 600 W

击穿电压 122 V

电路数 1

钳位电压 177 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 115.65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SMBJ110C引脚图与封装图

在线购买SMBJ110C

型号： SMBJ110C

描述：硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

替代型号SMBJ110C