SMBJ100C参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ100C概述

硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

170.1V 夹子 3.7A Ipp TVS - 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

得捷:
TVS DIODE 100VWM 170.1VC DO214AA

Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 100V 600W 2-Pin SMB T/R

SMBJ100C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

工作电压 100 V

额定功率 600 W

击穿电压 111 V

电路数 1

钳位电压 162 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 105.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SMBJ100C引脚图与封装图

在线购买SMBJ100C

型号： SMBJ100C

制造商： Littelfuse 力特

描述：硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

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替代型号SMBJ100C

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