SMBJ54C参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ54C概述

硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

91.46V Clamp 6.9A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 54VWM 91.46VC DO214AA

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 54V 10% Bi-Directional

Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 54V 600W 2-Pin SMB T/R

SMBJ54C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 54.0 V

工作电压 54 V

额定功率 600 W

击穿电压 69.465 V

电路数 1

钳位电压 91.455 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 56.84 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SMBJ54C引脚图与封装图

在线购买SMBJ54C

型号： SMBJ54C

描述：硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

替代型号SMBJ54C