SN74LVC1G00DRLR

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SN74LVC1G00DRLR概述

IC 与非门 SN74LVC1G00DRLR SOT-553 marking/标记 CAR

逻辑类型Logic Type| 与非门 NAND Gate \---|--- 电路数Number of Circuits| 1 输入数Number of Inputs| 2 电源电压VccVoltage - Supply| 1.65V~5.5V 静态电流IqCurrent - Quiescent Max| 10µA 输出高,低电平电流Current - Output High, Low| -32mA,32mA 低逻辑电平Logic Level - Low| 0.7 V ~ 0.8 V 高逻辑电平Logic Level - High| 1.7 V ~ 2 V 传播延迟时间@Vcc,CLMax Propagation Delay @ V, Max CL| 4nS @5v,50pF Description & Applications| SINGLE 2-INPUT POSIVE-NAND GATE; Available in the Texas Instruments NanoStar™ • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Package Operation • Supports 5-V VCC Operation • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II • Inputs Accept Voltages to 5.5 V • Max tpd of 3.8 ns at 3.3 V • ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model A114-A • Low Power Consumption, 10-μA Max ICC – 1000-V Charged-Device Model C101 • ±24-mA Output Drive at 3.3 V 描述与应用| 单路2输入正与非门; 可用NANOSTAR™•IOFF支持部分掉电模式 包装操作 •支持5-V的VCC操作•闭锁性能超过100 mA每 JESD 78,II类 •接受输入电压为5.5 V •最大TPD为3.8 ns在3.3 V •ESD保护超过JESD22 - 2000-V人体模型(A114-A) •低功耗,10μA最大ICC - 1000-V带电器件模型(C101) •±24 mA输出驱动在3.3 V

SN74LVC1G00DRLR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

输出接口数 1

电路数 1

位数 1

传送延迟时间 4.00 ns

逻辑门个数 1

输入数 2

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-553-5

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-553-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SN74LVC1G00DRLR引脚图与封装图
SN74LVC1G00DRLR引脚图
SN74LVC1G00DRLR封装图
SN74LVC1G00DRLR封装焊盘图
在线购买SN74LVC1G00DRLR
型号: SN74LVC1G00DRLR
制造商: TI 德州仪器
描述:IC 与非门 SN74LVC1G00DRLR SOT-553 marking/标记 CAR
替代型号SN74LVC1G00DRLR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SN74LVC1G00DRLR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

SN74LVC1G00DRLRG4

德州仪器

完全替代

SN74LVC1G00DRLR和SN74LVC1G00DRLRG4的区别

NL17SZ00XV5T2

安森美

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