SPP11N80C3

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SPP11N80C3概述

INFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


立创商城:
N沟道 800V 11A


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Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


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Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin TO-220 Tube


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Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3


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Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


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**N-CH 800V 11A 450mOhm TO220-3 **


力源芯城:
800V,11A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
Cool MOS Power Transistor


SPP11N80C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 11.0 A

额定功率 156 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.39 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1600pF @100VVds

额定功率Max 156 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SPP11N80C3
型号: SPP11N80C3
描述:INFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SPP11N80C3
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