SiC 肖特基势垒二极管，ROHMSilicon Carbide SiC 肖特基势垒二极管的总电容电荷较小，可减少切换损耗，实现高速切换操作。### 二极管和整流器，ROHM Semiconductor
SiC 肖特基势垒，ROHM
Silicon Carbide SiC 肖特基势垒二极管的总电容电荷较小，可减少切换损耗，实现高速切换操作。
得捷:
DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB
欧时:
SiC Schottky barrier diode,650V,TO263AB
贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 20A DPAK
e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-263AB
艾睿:
Diode Schottky 650V 20A 3-Pin2+Tab LPTL T/R
安富利:
SiC Schottky 650V 20A 3-Pin LPTL
Verical:
Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin2+Tab LPTL T/R
儒卓力:
**SIC-D 650V 20A 1,35V TO263 **
正向电压 1.35 V
耗散功率 100 W
反向恢复时间 19 ns
正向电流 20 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 260 A
正向电压Max 1.63 V
正向电流Max 20 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 175℃ Max
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 100000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.1 mm
宽度 10.1 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
