600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressor
19.9V Clamp 30.2A 8/20µs Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB
得捷:
TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB
艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W 2-Pin SMB T/R
Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W 2-Pin SMB T/R
额定电压DC 12.0 V
额定功率 600 W
击穿电压 13.8 V
钳位电压 15.6 V
最大反向电压（Vrrm） 12V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 13.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
长度 4.57 mm
宽度 3.81 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SMBJ12AONT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1SMB12AT3 安森美 | 类似代替 | SMBJ12AONT3G和1SMB12AT3的区别 |
NSB12ANT3G 安森美 | 类似代替 | SMBJ12AONT3G和NSB12ANT3G的区别 |
SMBJ12AONT3 安森美 | 类似代替 | SMBJ12AONT3G和SMBJ12AONT3的区别 |