SDT10S30参数规格_中文资料_数据手册PDF

SDT10S30概述

碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

碳化硅肖特基 300 V 10A（DC）通孔 PG-TO220-2-2

得捷:
DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2

艾睿:
Diode Schottky 300V 10A 2-Pin2+Tab TO-220

Chip1Stop:
Diode Schottky 300V 10A 2-Pin2+Tab TO-220

SDT10S30中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 10.0 A

正向电压 1.7V @10A

反向恢复时间 0 ns

最大正向浪涌电流（Ifsm） 36 A

正向电压Max 1.7V @10A

正向电流Max 10 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SDT10S30

型号： SDT10S30

描述：碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

替代型号SDT10S30

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SDT10S30 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
SDP10S30 英飞凌	功能相似	SDT10S30和SDP10S30的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SDT10S30

Infineon 英飞凌

当前型号

SDP10S30

英飞凌

功能相似