SN74V283-10GGM

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SN74V283-10GGM概述

8192 】 18 , 16384 】 18 , 32768 】 18 :65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES

同步 576K(32K x 18)(64K x 9) 单向 100MHz 6.5ns 100-BGA MICROSTAR(10x10)


得捷:
IC SYNC FIFO MEM 32768X18 100BGA


贸泽:
先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  SN74V283-10GGM  32768 X 18 SYNCHRONOUS FIFO MEMORY, BGA-100


Win Source:
IC SYNC FIFO MEM 32768X18 100BGA / Synchronous FIFO 576K 32K x 1864K x 9 Uni-Directional 100MHz 6.5ns 100-BGA MICROSTAR 10x10


SN74V283-10GGM中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

电源电压DC 3.15V min

电路数 2

存取时间 6.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V

电源电压Max 3.45 V

电源电压Min 3.15 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 BGA-100

外形尺寸

宽度 10 mm

高度 0.9 mm

封装 BGA-100

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

SN74V283-10GGM引脚图与封装图
SN74V283-10GGM引脚图
SN74V283-10GGM封装图
SN74V283-10GGM封装焊盘图
在线购买SN74V283-10GGM
型号: SN74V283-10GGM
制造商: TI 德州仪器
描述:8192 】 18 , 16384 】 18 , 32768 】 18 :65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
替代型号SN74V283-10GGM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SN74V283-10GGM

TI 德州仪器

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