8192 】 18 , 16384 】 18 , 32768 】 18 :65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
同步 576K(32K x 18)(64K x 9) 单向 100MHz 6.5ns 100-BGA MICROSTAR(10x10)
得捷:
IC SYNC FIFO MEM 32768X18 100BGA
贸泽:
先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS SN74V283-10GGM 32768 X 18 SYNCHRONOUS FIFO MEMORY, BGA-100
Win Source:
IC SYNC FIFO MEM 32768X18 100BGA / Synchronous FIFO 576K 32K x 1864K x 9 Uni-Directional 100MHz 6.5ns 100-BGA MICROSTAR 10x10
频率 100 MHz
电源电压DC 3.15V min
电路数 2
存取时间 6.5 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3.15V ~ 3.45V
电源电压Max 3.45 V
电源电压Min 3.15 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 100
封装 BGA-100
宽度 10 mm
高度 0.9 mm
封装 BGA-100
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SN74V283-10GGM TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |