SN74V293-10GGM参数规格_中文资料_数据手册PDF

SN74V293-10GGM概述

8192 】 18 ， 16384 】 18 ， 32768 】 18 ：65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES

Synchronous 1.125M 64K x 18128K x 9 Uni-Directional 100MHz 6.5ns 100-BGA MICROSTAR 10.1x10.1

得捷:
IC SYNC FIFO MEM 65536X18 100BGA

SN74V293-10GGM中文资料参数规格

技术参数

存取时间 6.5 ns

电源电压 3.15V ~ 3.45V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LFBGA-100

外形尺寸

封装 LFBGA-100

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SN74V293-10GGM

型号： SN74V293-10GGM

制造商： TI 德州仪器

描述：8192 】 18 ， 16384 】 18 ， 32768 】 18 ：65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES

立即咨询

替代型号SN74V293-10GGM

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SN74V293-10GGM TI 德州仪器	当前型号	当前型号
SN74V293-6GGM 德州仪器	功能相似	SN74V293-10GGM和SN74V293-6GGM的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SN74V293-10GGM

TI 德州仪器

当前型号

SN74V293-6GGM

德州仪器

功能相似

SN74V293-10GGM和SN74V293-6GGM的区别