SI9913DY-T1-E3

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SI9913DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 30ns, 20ns

输出接口数 2

耗散功率 830 mW

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 830 mW

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI9913DY-T1-E3
型号: SI9913DY-T1-E3
描述:半桥MOSFET驱动器,用于开关电源 Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power Supplies

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