SI9976DY-E3中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 110ns, 50ns
输出接口数 2
供电电流 0.01 mA
耗散功率 1000 mW
上升时间 110 ns
下降时间 50 ns
下降时间Max 50 ns
上升时间Max 110 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1000 mW
电源电压 4.5V ~ 16.5V
电源电压Min 20 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SOIC-14
外形尺寸
长度 8.75 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-14
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SI9976DY-E3
型号： SI9976DY-E3
描述：MOSFET DRVR 0.5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg 14Pin SOIC N