SSTA56T116参数规格_中文资料_数据手册PDF

SSTA56T116概述

SOT-23 PNP 80V 0.5A

- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 500 mA 50MHz 350 mW 表面贴装型 SST3

得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SST3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT DDVR PNP 80V 500MA

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SST T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SST T/R

Win Source:
TRANS PNP 80V 0.5A SST3

DeviceMart:
TRANS DVR PNP 80V 500MA SST3

SSTA56T116中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 350 mW

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SSTA56T116引脚图与封装图

在线购买SSTA56T116

型号： SSTA56T116

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SOT-23 PNP 80V 0.5A

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替代型号SSTA56T116

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