STBV32-AP

STBV32-AP图片1
STBV32-AP图片2
STBV32-AP图片3
STBV32-AP图片4
STBV32-AP图片5
STBV32-AP概述

高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION

The device is manufactured using High Voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

The STBV series is designed for use in Compact Fluorescent Lamps.

■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY

■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

■ MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION

■ VERY HIGH SWITCHING SPEED

APPLICATIONS

■ COMPACT FLUORESCENT LAMPS CFLS

STBV32-AP中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1500 mW

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 5 @1A, 2V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STBV32-AP
型号: STBV32-AP
描述:高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
替代型号STBV32-AP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STBV32-AP

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STBV32G-AP

意法半导体

完全替代

STBV32-AP和STBV32G-AP的区别

STBV32

意法半导体

完全替代

STBV32-AP和STBV32的区别

STX616-AP

意法半导体

类似代替

STBV32-AP和STX616-AP的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台