SBC848BLT1G

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SBC848BLT1G概述

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3


立创商城:
NPN 双极晶体管


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
ON Semi SBC848BLT1G NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 30 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


SBC848BLT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SBC848BLT1G
型号: SBC848BLT1G
描述:NPN 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号SBC848BLT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SBC848BLT1G

ON Semiconductor 安森美

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BC849BLT3G

安森美

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SBC848BLT1G和BC849BLT3G的区别

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