SMMUN2116LT1G

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SMMUN2116LT1G概述

数字晶体管( BRT ) R1 = 4.7千欧, R2 = ? K + Digital Transistors BRT R1 = 4.7 k, R2 = k

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3


立创商城:
SMMUN2116LT1G


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236


SMMUN2116LT1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SMMUN2116LT1G
型号: SMMUN2116LT1G
描述:数字晶体管( BRT ) R1 = 4.7千欧, R2 = ? K + Digital Transistors BRT R1 = 4.7 k, R2 = k

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