SDTC114YET1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

SDTC114YET1G概述

数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压表面贴装型 SC-75，SOT-416

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75

立创商城:
SDTC114YET1G

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R

SDTC114YET1G中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SDTC114YET1G

型号： SDTC114YET1G

描述：数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k

替代型号SDTC114YET1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SDTC114YET1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
DTC114YET1G 安森美	完全替代	SDTC114YET1G和DTC114YET1G的区别
DTC114YET1 安森美	功能相似	SDTC114YET1G和DTC114YET1的区别
PDTC114YE,115 恩智浦	功能相似	SDTC114YET1G和PDTC114YE,115的区别