SMUN2114T1G

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SMUN2114T1G概述

数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59


立创商城:
SMUN2114T1G


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R


SMUN2114T1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.338 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 230 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SMUN2114T1G
型号: SMUN2114T1G
描述:数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k
替代型号SMUN2114T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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