


数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k
- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
立创商城:
SMUN2114T1G
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.338 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 230 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SMUN2114T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
UNR211400L 松下 | 功能相似 | SMUN2114T1G和UNR211400L的区别 |
UNR511400L 松下 | 功能相似 | SMUN2114T1G和UNR511400L的区别 |