SI1442DH-T1-GE3

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SI1442DH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.017 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.8 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 12 V

输入电容Ciss 1010pF @6VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI1442DH-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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