VISHAY SI1308EDL-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.11 ohm, 10 V, 600 mV
The is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 500mW.
- .
- PWM optimized for fast switching
- .
- 100% Rg Tested
- .
- Up to 1800V ESD protection
- .
- Halogen-free
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
针脚数 3
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 105pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -50℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI1304BDL-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI1308EDL-T1-GE3和SI1304BDL-T1-E3的区别 |