SCT2120AFC概述
ROHM SCT2120AFC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 4 V
The is a N-channel SiC Power MOSFET with fast switching speed and reverse recovery. It is suitable for solar inverters, DC-to-DC converters, SMPS, induction heating and motor drive applications.
- .
- Low ON-resistance
- .
- Easy to parallel
- .
- Simple to drive
SCT2120AFC中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.12 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 165 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 1200pF @500VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 165W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.26 mm
宽度 8.63 mm
高度 4.45 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 热管理, Thermal Management, 工业, Industrial, Power Management, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SCT2120AFC
型号： SCT2120AFC
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM SCT2120AFC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 4 V