VISHAY SI2301BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mV
The is a 2.5VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
欧时:
### P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
e络盟:
VISHAY SI2301BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mV
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
单 P 沟道 20 V 0.1 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# VISHAY SI2301BDS-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -2.2 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mV
针脚数 3
漏源极电阻 100 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 900 mW
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -2.20 A
输入电容Ciss 375pF @6VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.7 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2301BDS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2301CDS-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI2301BDS-T1-E3和SI2301CDS-T1-GE3的区别 |
SI2301BDS-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI2301BDS-T1-E3和SI2301BDS-T1-GE3的区别 |
IRLML6402TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI2301BDS-T1-E3和IRLML6402TRPBF的区别 |