VISHAY SI1317DL-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV
The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- -50 to 150°C Operating temperature range
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- Halogen-free
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- 100% Rg tested
欧时:
### P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
富昌:
Si1317DL 系列 -20 V 0.150 Ohm 表面贴装 P-沟道 20 V D-S Mosfet - SOT-323-3
Newark:
# VISHAY SI1317DL-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV
针脚数 3
漏源极电阻 0.125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 450 mV
上升时间 20 ns
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 0.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -50℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15