SI1032R-T1-GE3概述
N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
The is a 1.5VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
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- 2000V Gate-source ESD protected
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- Low-side switching
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- Low ON-resistance
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- Low threshold
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- 35ns Fast switching speed
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- 1.5V Rated voltage
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- Halogen-free
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- Ease in driving switches
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- Low offset voltage
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- Low-voltage operation
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- High-speed circuits
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- Low battery voltage operation
SI1032R-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 25 ns
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.28 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75
外形尺寸
长度 1.68 mm
宽度 0.86 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI1032R-T1-GE3
型号： SI1032R-T1-GE3
描述：N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor