ROHM SCT2160KEC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 4 V
N 通道 SiC MOSFET ，ROHM
碳化硅 SiC MOSFET 相比硅同类产品，具有较低开关损耗和超高温度操作特性，适用于高效高频率开关应用。
得捷:
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
欧时:
SiC MOSFET,N-channel,1200V,22A,TO247
立创商城:
N沟道 1.2kV 22A
贸泽:
MOSFET 1200V20A160mOhm Silicon Carbide SiC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans SiC MOSFET N-CH 1200V 22A 3-Pin TO-247 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# ROHM SCT2160KEC Power MOSFET, N Channel, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 4 V
儒卓力:
**SiC-N 1200V 22A 160mOhm TO247-3 **
针脚数 3
漏源极电阻 0.16 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 165 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 1.2 kV
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1200pF @800VVds
额定功率Max 165 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 165W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.9 mm
宽度 20.95 mm
高度 5.03 mm
封装 TO-247-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 替代能源, 电机驱动与控制, Alternative Energy, 电源管理, Motor Drive & Control, HVAC
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99