













P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
欧时:
### P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
e络盟:
VISHAY SI2301CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -400 mV
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
P-Channel 20 V 0.112 Ω 10 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1.6W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# VISHAY SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -3.1 A, -20 V, 142 mohm, 2.5 V, -400 mV
力源芯城:
-20V,-3.1A,P沟道MOSFET
额定功率 1.6 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.142 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -3.10 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 405pF @10VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 860 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2301CDS-T1-E3 威世 | 类似代替 | SI2301CDS-T1-GE3和SI2301CDS-T1-E3的区别 |
DMP2215L-7 美台 | 功能相似 | SI2301CDS-T1-GE3和DMP2215L-7的区别 |