SI2301CDS-T1-GE3

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SI2301CDS-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

.
Halogen-free
.
-55 to 150°C Operating temperature range

欧时:
### P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SI2301CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -400 mV


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
P-Channel 20 V 0.112 Ω 10 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1.6W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2301CDS-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -3.1 A, -20 V, 142 mohm, 2.5 V, -400 mV


力源芯城:
-20V,-3.1A,P沟道MOSFET


SI2301CDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.6 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.142 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -3.10 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 405pF @10VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 860 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI2301CDS-T1-GE3
型号: SI2301CDS-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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