SCH2080KEC

SCH2080KEC图片1
SCH2080KEC图片2
SCH2080KEC图片3
SCH2080KEC图片4
SCH2080KEC图片5
SCH2080KEC图片6
SCH2080KEC图片7
SCH2080KEC图片8
SCH2080KEC图片9
SCH2080KEC图片10
SCH2080KEC图片11
SCH2080KEC图片12
SCH2080KEC图片13
SCH2080KEC图片14
SCH2080KEC图片15
SCH2080KEC图片16
SCH2080KEC概述

ROHM  SCH2080KEC  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V

是一款N沟道SiC 碳化硅 MOSFET, 具有高耐压, 低导通电阻与快开关速度.

.
快速反向恢复
.
易于并联

得捷:
SICFET N-CH 1200V 40A TO247


欧时:
ROHM SCH2080KE 系列 SiC N沟道 MOSFET SCH2080KEC, 40 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装


贸泽:
MOSFET SiC N-Ch MOSFET w/ SBD 1200V


e络盟:
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2kV, 0.08欧姆, 18V, 4V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans SiC MOSFET N-CH 1.2KV 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 35A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# ROHM  SCH2080KEC  Power MOSFET, N Channel, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 1200V 35A 80mOhm TO-247 **


SCH2080KEC中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 179 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 1850pF @800VVds

额定功率Max 179 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 262W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.9 mm

宽度 20.95 mm

高度 5.03 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, 工业, 信号处理, Audio, 音频, Industrial, Motor Drive & Control, Signal Processing

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SCH2080KEC
型号: SCH2080KEC
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  SCH2080KEC  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V
替代型号SCH2080KEC
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SCH2080KEC

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

SCT2080KEC

罗姆半导体

类似代替

SCH2080KEC和SCT2080KEC的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司