SI8824EDB-T2-E1

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SI8824EDB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.06 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 900 mW

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 20 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 MicroFoot-4

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.65 mm

封装 MicroFoot-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI8824EDB-T2-E1
型号: SI8824EDB-T2-E1
描述:VISHAY  SI8824EDB-T2-E1  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 2.9A, MICRO FOOT-4

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