SI2303CDS-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI2303CDS-T1-GE3概述

VISHAY SI2303CDS-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7A

The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SI2303CDS-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.158 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.3 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -2.70 A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 155pF @15VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI2303CDS-T1-GE3

型号： SI2303CDS-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI2303CDS-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7A

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替代型号SI2303CDS-T1-GE3

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