SI2302CDS-T1-E3

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SI2302CDS-T1-E3概述

VISHAY  SI2302CDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 400 mV

The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.

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-55 to 150°C Operating temperature range

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
单通道 N 沟道 20 V 0.057 Ohm 0.71 W 表面贴装 功率 MOSFET - SOT-23-3


Newark:
# VISHAY  SI2302CDS-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 400 mV


SI2302CDS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 710 mW

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI2302CDS-T1-E3
型号: SI2302CDS-T1-E3
描述:VISHAY  SI2302CDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 400 mV
替代型号SI2302CDS-T1-E3
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SI2302CDS-T1-E3

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