SI1013X-T1-GE3

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SI1013X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -400 mA

上升时间 9 ns

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SC-89

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 SC-89

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1013X-T1-GE3
型号: SI1013X-T1-GE3
描述:P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V G-S MOSFET

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