VISHAY SI1012R-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 900 mV
The is a 1.8VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
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- 2000V Gate-source ESD protected
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- High-side switching
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- Low ON-resistance
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- Low threshold
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- 10ns Fast switching speed
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- Halogen-free
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- Ease in driving switches
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- Low offset voltage
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- Low-voltage operation
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- High-speed circuits
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- Low battery voltage operation
针脚数 3
漏源极电阻 0.41 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 900 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 600 mA
上升时间 5 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
长度 1.575 mm
宽度 0.76 mm
高度 0.7 mm
封装 SC-75-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Portable Devices, Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI1012R-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI1012CR-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI1012R-T1-GE3和SI1012CR-T1-GE3的区别 |