SI1021R-T1-GE3概述
VISHAY SI1021R-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P通道, -60V, 190MA, SC-75A, 整卷
The is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
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- 2000V Gate-source ESD protected
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- High-side switching
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- Low ON-resistance
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- Low threshold
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- 20 ns Fast switching speed
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- 20 pF Low input capacitance
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- Miniature package
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- Halogen-free
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- Ease in driving switches
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- Low offset voltage
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- Low-voltage operation
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- High-speed circuits
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- Easily driven without buffer
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- Small board area
SI1021R-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 8 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 250 mW
漏源极电压Vds -60.0 V
连续漏极电流Ids -190 mA
输入电容Ciss 23pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75
外形尺寸
长度 1.68 mm
高度 0.7 mm
封装 SC-75
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SI1021R-T1-GE3
型号： SI1021R-T1-GE3
描述：VISHAY SI1021R-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P通道, -60V, 190MA, SC-75A, 整卷