SI2333CDS-T1-E3概述
VISHAY SI2333CDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.1 A, -12 V, 0.0285 ohm, -4.5 V, -400 mV
The is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and PA switch applications.
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 5.1A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
单 P沟道 12 V 35 mΩ 25 nC 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23
Newark:
# VISHAY SI2333CDS-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -7.1 A, -12 V, 0.0285 ohm, -4.5 V, -400 mV
SI2333CDS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0285 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
上升时间 35 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI2333CDS-T1-E3
型号： SI2333CDS-T1-E3
描述：VISHAY SI2333CDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.1 A, -12 V, 0.0285 ohm, -4.5 V, -400 mV