SI3460DDV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3460DDV-T1-GE3概述

VISHAY SI3460DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, boost converter and DC-to-DC converter applications.

SI3460DDV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.7 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 666pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI3460DDV-T1-GE3

型号： SI3460DDV-T1-GE3

描述：VISHAY SI3460DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

替代型号SI3460DDV-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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