VISHAY SI2308BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 1 V
The is a 60V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
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- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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- 100% Rg Tested
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- 100% UIS Tested
针脚数 3
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.66 W
阈值电压 1 V
输入电容 190pF @30V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 16 ns
热阻 115℃/W RθJA
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.04 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2308BDS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLML0060TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI2308BDS-T1-E3和IRLML0060TRPBF的区别 |
SI2308BDS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI2308BDS-T1-E3和SI2308BDS-T1-GE3的区别 |