VISHAY SI1031R-T1-GE3. 晶体管, MOSFET, P沟道, 140 mA, -20 V, 20 ohm, -4.5 V, -1.2 V
The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
针脚数 3
漏源极电阻 8 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 900 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 140 mA
上升时间 30 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75
长度 1.68 mm
宽度 0.86 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99